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Zeta电位测量原理及大塚电子ELSZ系列的技术创新

更新时间:2026-06-10      浏览次数:198

Zeta电位测量原理及大塚电子ELSZ系列的技术创新


Zeta电位是表征颗粒表面电化学性质的关键指标,直接影响分散体系的聚集行为、吸附性能及与基底的相互作用。

大塚电子的Zeta电位测量基于电泳光散射技术(Electrophoretic Light Scattering, ELS),也称为激光多普勒法。

在施加电场的作用下,带电颗粒向相反电极方向迁移,产生电泳运动。

当激光照射迁移中的颗粒时,散射光产生与电泳速度成正比的频率偏移(多普勒频移),通过检测这一频移可精确计算电泳迁移率,并依据Henry方程转换为Zeta电位。

大塚电子ELSZ系列的一项核心创新是实测电渗流校正技术。

在Zeta电位测量中,样品池壁带电会引发电渗流,导致观测到的颗粒表观迁移率偏离真实值。

ELSZ系列通过实测样品池内不同深度位置的颗粒表观迁移率,构建完整的电渗流分布曲线,并应用森·冈本公式进行解析,从而获得高精度的Zeta电位测量结果。

ELSZ-2000系列Zeta电位测量范围覆盖-200 mV至+200 mV,可对应0.00001%~40%的宽浓度范围。

该系统非常适用于界面化学、无机物质、半导体、聚合物、生物学、制药和医学领域的基础研究和应用研究,不仅对应微小颗粒,还适用于薄膜和平板表面的科学研究。


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