半导体与电子制造中的超低氧测量解决方案

更新时间：2026-06-08

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半导体与电子制造中的超低氧测量解决方案

半导体芯片和电子元器件的制造过程对生产环境的洁净度和微量杂质含量有着极其严苛的要求。

金属互连层的氧化会显著影响芯片性能和成品率，因此对生产设备腔体和工艺气体中的微量氧含量必须实施精密监控。

第一热研TB系列氧化锆氧气浓度分析仪为半导体行业提供了优异的超低氧测量解决方案。

TB-ⅡV/TB-ⅡVN真空/密闭气氛专用型可在真空气氛下测量1×10⁻⁵Torr量级的氧分压，传感器直接插入腔体无需取样管路，最大限度地避免了因管路吸附和泄漏造成的测量误差。

TB-SI系列可携式微氧分析仪在半导体制程和回流焊炉工艺中已普遍采用，其测量范围可从ppm级微量氧一直延伸至100%高浓度氧，兼具高灵敏度和宽量程特性。

C-58控制单元可与氧化锆O₂传感器结合使用，控制传感器温度、处理信号并显示氧气浓度，其自由量程规格允许为每个量程任意设置输出缩放比例，并支持MODBUS通讯，便于集成至半导体产线的自动化监控系统。

池田屋商社为半导体及电子制造行业提供上述产品的一站式供货和技术咨询。