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产品介绍/ PRODUCT PRESENTATION日本COPERNICS 用于功率半导体的热阻计
日本COPERNICS 用于功率半导体的热阻计
瞬态热阻仪是一种用于测量IGBT、MOS-FET、二极管、BJT和其他类似器件的瞬态热阻的设备。
双极型晶体管瞬态热阻测量仪在集电极和发射极之间施加特定功率,使芯片温度升高,然后测量温度升高前后由于微小电流 (Im) 引起的基极-发射极电压差 (ΔVBE)。这可以用于估算样品的导热系数。
IGBT瞬态热阻表与BJT瞬态热阻表一样,是测量栅极和发射极之间电压差(ΔVGE)的仪器。
P-MOS FET 瞬态热阻计,就像 BJT 瞬态热阻计一样,是一种测量栅极和源极之间电压差 (ΔVGS) 的测量仪器。
二极管的ΔVF 可以通过 BJT 瞬态热阻表在基极和发射极之间进行测量。
◇主要规格
| 施加电压 | 2-30/100/600/1200V |
| 当前的 | 0.1-30/100/200/500/1000A |
| 电源应用宽度 | 100、200、500μS; 1、2、5、10、20、50、100、200、500mS; 1S、2S、30S、直流 |
| 测量电流(Im) | 1-99/199/999毫安 |
| 测量范围 | ΔVBE:~999/1999mV(VBE 最大值:3V) ΔVGS/VGE:~999/1999/9990mV(VGS/VGE 最大值:20V) |
| 采样点 | Td 50–990 μS |
热阻表存在功率限制,其测量范围受电压、电流和应用时间的限制。此外,设备的尺寸和重量会根据其规格的不同而有显著差异。以上规格仅供参考;设计和制造需要详细咨询。请联系我们了解更多信息。