第一热研 TB‑ⅡF‑R 氧化锆氧传感器原理与工程应用技术说明

更新时间：2026-10-10

浏览次数：10

一、产品概述

第一热研 TB‑ⅡF‑R 属于 TB‑ⅡF 系列氧化锆氧传感器，为痕量氧检测专用传感探头，采用稳定化氧化锆陶瓷作为感应核心，用于各类工艺气体中氧分压连续在线测量。型号 TB‑ⅡF‑R 配置 Rc1/4 内螺纹接口，不锈钢气密结构，可覆盖 1ppm～100% O₂超宽测量区间，兼顾微量痕量氧与常规氧浓度检测，传感器必须搭配对应控制单元才能整套使用。

二、检测原理

氧化锆陶瓷在工作温度下具备氧离子传导特性，传感器内部加热元件维持传感单元恒定高温。当传感器两侧气体氧分压存在差异，氧离子在氧化锆电解质内迁移，电极两端产生对应氧浓度的电动势。采集电动势信号，换算即可得到气体氧浓度，可直接测量氧分压，适配低真空环境检测。

三、技术特性

测量量程：1ppm～100% O₂；0~25% O₂区间线性度、重复性≤±1% FS；
响应速度：向高浓度侧变化，90% 读数响应时间≤10s；
环境耐受：样气入口最高温度 300℃，支持低真空至常压工况；
结构配置：Rc1/4 内螺纹接口，不锈钢外壳，密封性能优异；
长期稳定性：周漂移≤±2% FS，适合长期连续在线监测。

四、应用技术场景

广泛应用于氮气纯化装置、金属热处理保护气氛炉、半导体回流焊、CVD 沉积设备、燃料电池评价系统等场景。主要用于监测保护气氛内微量氧，防止工件氧化脱碳，保障半导体工艺环境纯度，为工艺闭环控制提供氧浓度检测信号。如需产品规格资料、选型咨询，可联系池田屋贸易周小姐。

第一热研 TB‑ⅡF‑R 氧化锆氧传感器 原理与工程应用技术说明

一、产品概述

二、检测原理

三、技术特性

四、应用技术场景

第一热研 TB‑ⅡF‑R 氧化锆氧传感器原理与工程应用技术说明